SIE874DF-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Diskrete Halbleiter-Produkte
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RF/if und RFID
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Optoelektronik
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Klemmen-PC-Pin-Buchsen, Sockel-Steckverbinder(2222)
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- Klemmen-Messer Steckverbinder(3829)
- Klemmen-Gehäuse, Stiefel(1891)
- Klemmen-Folie Steckverbinder(662)
- Klemmen-Barrel, Bullet-Steckverbinder(5430)
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- Terminal-Streifen und Revolver-Boards(11368)
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- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Rechteckige Steckverbinder-Gehäuse(28877)
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- Rechteckige Anschlüsse - Header, Gefäße, weibliche Sockel(23450)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
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- Rechteckige Verbinder-Kontakte(5477)
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- Photovoltaik (Solar Panel) Steckverbinder(365)
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Electro-Films (EFI) / Vishay SIE874DF-T1-GE3
| Artikelnummer: | SIE874DF-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $2.686 |
| 100+ | $2.1588 |
| 500+ | $1.679 |
| 1000+ | $1.3912 |
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Electro-Films (EFI) / Vishay SIE874DF-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIE874DF-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 10-PolarPAK® (L) Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.17 mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse 10-PolarPAK® (L) Andere Namen SIE874DF-T1-GE3DKR Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6200pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V detaillierte Beschreibung N-Channel 20V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) SIE874DF-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] SIE874DF-T1-GE3 PDF - EN.pdf -
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